本年3月,台积电在白宫表明,未来四年内将在美国追加1000亿美元的出资,进步其芯片产值。加上这笔被该公司吹捧为“美国历史上最大的单笔外国出资”的出资,台积电在美国的总出资额达到了1650亿美元。台积电首席执行官魏哲家在白宫到会新闻发布会时表明,这笔资金将用于在美国兴修3座新晶圆厂、2座先进封装设备和1间研制中心。
在竞选期间及就任后,特朗普曾多次要挟要对进口芯片征收关税。他在2月曾扬言要对半导体设备和其他进口商品征收25%及更高的关税,且税率将在一年内大幅上涨。有剖析指出,台积电在上月宣告追加的这笔高额出资意在安慰特朗普,逃避芯片关税。
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本文源自:智通财经网
现在,该公司正在完结凤凰城 Fab 21 一期工厂的设备装置作业,并方案在 Fab 21 二期建造完结后将(设备装置)东西移至该区域。
一期(N4 工艺):2020 年开工,2025 年投产
二期(3nm 工艺):2026 年试产,2028 年量产
三期(2nm 工艺):或许 2028 年试产,或许 2029 年具有量产才能
台积电高管向日经证明,阅历过初期劳工缺少、本钱超标等困难,他们现已成功处理大部分问题,并且搞清楚在建造新工厂时能够与哪些当地修建承包商协作。若三期工厂如期完结,将成为美国首座具有 2nm 制程才能的半导体出产基地。